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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Good Wealth Technology Ltd. 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
43
左右 -105% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
21
读取速度,GB/s
12.3
18.1
写入速度,GB/s
8.1
12.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
3211
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM的比较
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
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