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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
INTENSO 5641162 8GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs INTENSO 5641162 8GB

总分
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

总分
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INTENSO 5641162 8GB

INTENSO 5641162 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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INTENSO 5641162 8GB 需要考虑的原因
INTENSO 5641162 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    23 left arrow 43
    左右 -87% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.2 left arrow 12.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    11.7 left arrow 8.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
INTENSO 5641162 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 23
  • 读取速度，GB/s
    12.3 left arrow 16.2
  • 写入速度，GB/s
    8.1 left arrow 11.7
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1706 left arrow 2799

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM的比较

OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
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INTENSO 5641162 8GB RAM的比较

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Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
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Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
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内存RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
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内存RAM
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
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内存RAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
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Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
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内存RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
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内存RAM
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
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内存RAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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Kingston 9905624-010.A00G 4GB
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内存RAM
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
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Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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