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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Kingston 9905702-019.A00G 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
87
左右 51% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.6
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
87
读取速度,GB/s
12.3
12.6
写入速度,GB/s
8.1
9.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
1849
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
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