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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
37
43
左右 -16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.5
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
37
读取速度,GB/s
12.3
13.5
写入速度,GB/s
8.1
10.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
2389
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
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