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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,168.2
11.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
60
左右 -62% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
60
37
读取速度,GB/s
4,595.2
14.5
写入速度,GB/s
2,168.2
11.4
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
941
2847
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
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