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Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
比较
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB vs Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
总分
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
总分
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
37
左右 8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
11.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
37
读取速度,GB/s
15.4
14.5
写入速度,GB/s
11.5
11.4
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2763
2847
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB RAM的比较
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
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