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Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
比较
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB vs Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
总分
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
总分
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
37
左右 8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
14.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
11.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
37
读取速度,GB/s
15.4
14.5
写入速度,GB/s
11.5
11.4
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2763
2847
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB RAM的比较
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
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Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
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