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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
60
左右 28% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.3
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
60
读取速度,GB/s
12.3
15.3
写入速度,GB/s
8.1
11.0
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
2359
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
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Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
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Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
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