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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
比较
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB vs V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
总分
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
总分
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
43
左右 -30% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
12.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.5
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
33
读取速度,GB/s
12.3
15.0
写入速度,GB/s
8.1
8.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1706
2524
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB RAM的比较
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OCZ OCZ3G16002G 2GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
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