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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
比较
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
总分
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
37
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
14900
左右 1.14 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
31
读取速度,GB/s
9.8
19.2
写入速度,GB/s
7.2
13.9
内存带宽,mbps
14900
17000
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2065
3341
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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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