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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
比较
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
总分
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
37
左右 -19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
14900
左右 1.14 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
31
读取速度,GB/s
9.8
13.9
写入速度,GB/s
7.2
8.0
内存带宽,mbps
14900
17000
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2065
2236
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
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