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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
比较
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
总分
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
总分
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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需要考虑的原因
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
37
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
14900
左右 1.29 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
27
读取速度,GB/s
9.8
16.7
写入速度,GB/s
7.2
14.1
内存带宽,mbps
14900
19200
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2065
3342
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
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Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
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