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SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
比较
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
总分
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
总分
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
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需要考虑的原因
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.8
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.5
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
14900
左右 1.43 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
28
读取速度,GB/s
9.8
19.8
写入速度,GB/s
7.2
14.5
内存带宽,mbps
14900
21300
Other
描述
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2065
3650
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB RAM的比较
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SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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