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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
比较
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
总分
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
46
左右 -119% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
21
读取速度,GB/s
11.6
17.7
写入速度,GB/s
8.0
13.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1854
2822
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
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