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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
比较
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
总分
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
46
左右 -130% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
20
读取速度,GB/s
11.6
20.0
写入速度,GB/s
8.0
17.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1854
3703
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
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