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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
比较
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Kingston 9965596-016.B01G 8GB
总分
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
总分
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.6
9.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
6.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
46
左右 -31% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
35
读取速度,GB/s
11.6
9.5
写入速度,GB/s
8.0
6.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1854
1853
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB RAM的比较
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Kingston 9965596-016.B01G 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair VS2GB1333D4 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
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