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Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
比较
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB vs Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
总分
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
总分
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
49
56
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
10.9
9.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Samsung M393A4K40BB0-CPB 32GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
49
56
读取速度,GB/s
10.9
9.5
写入速度,GB/s
8.7
7.9
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2427
2294
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
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