SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB

总分
star star star star star
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

总分
star star star star star
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB

差异

  • 更快的读取速度,GB/s
    11.6 left arrow 11.5
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    8.0 left arrow 7.1
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    40 left arrow 46
    左右 -15% 更低的延时

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5273CH0-CK0 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMark中的延时,ns
    46 left arrow 40
  • 读取速度,GB/s
    11.6 left arrow 11.5
  • 写入速度,GB/s
    8.0 left arrow 7.1
  • 内存带宽,mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1854 left arrow 1730
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较