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SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
比较
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB vs Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
总分
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
总分
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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需要考虑的原因
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
46
左右 -70% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17
11.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
27
读取速度,GB/s
11.6
17.0
写入速度,GB/s
8.0
12.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1854
2379
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB RAM的比较
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston 9905403-439.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-026.A00LF 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
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