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SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
比较
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB vs AMD R744G2133U1S 4GB
总分
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
总分
AMD R744G2133U1S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
9.3
8.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R744G2133U1S 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
46
左右 -59% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
12.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
29
读取速度,GB/s
12.5
13.8
写入速度,GB/s
9.3
8.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2048
2415
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB RAM的比较
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Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston K821PJ-MIB 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
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