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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
比较
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
总分
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
总分
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
42
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.8
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
36
读取速度,GB/s
13.7
14.8
写入速度,GB/s
8.3
11.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2152
3073
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
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Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
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Corsair CMD32GX4M4B3466C16 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
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