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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
比较
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
总分
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
总分
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
42
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.2
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.6
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
26
读取速度,GB/s
13.7
19.2
写入速度,GB/s
8.3
15.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2152
3865
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
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