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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB

总分
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

总分
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Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB

差异 规格 评论

差异

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB 需要考虑的原因
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    32 left arrow 42
    左右 -31% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.2 left arrow 13.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.4 left arrow 8.3
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 10600
    左右 2.01 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    42 left arrow 32
  • 读取速度，GB/s
    13.7 left arrow 17.2
  • 写入速度，GB/s
    8.3 left arrow 14.4
  • 内存带宽，mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2152 left arrow 3189

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Kingston XN205T-HYD2 16GB
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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
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G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
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内存RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
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内存RAM
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Samsung M378B1G73EB0-YK0 8GB
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内存RAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
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内存RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
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内存RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
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