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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
比较
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
总分
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
总分
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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需要考虑的原因
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
42
左右 -11% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.8
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
38
读取速度,GB/s
13.7
14.2
写入速度,GB/s
8.3
9.8
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2152
2451
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
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