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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
比较
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
总分
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
总分
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
48
左右 13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.7
11.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
48
读取速度,GB/s
13.7
11.6
写入速度,GB/s
8.3
8.4
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2152
2466
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
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