RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Compara
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Puntuación global
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
48
En 13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
11.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
42
48
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
11.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2152
2466
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Kllisre KRE-D3S1600M/8G 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link