RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Compara
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
40
En 25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.6
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.8
6.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8500
En 2.26 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
30
40
Velocidad de lectura, GB/s
10.6
9.3
Velocidad de escritura, GB/s
6.8
6.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
8500
19200
Other
Descripción
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1479
2117
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link