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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB

总分
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

总分
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Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB

Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB 需要考虑的原因
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    30 left arrow 40
    左右 25% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    10.6 left arrow 9.3
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    6.8 left arrow 6.4
    测试中的平均数值
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB 需要考虑的原因
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
报告一个错误
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 8500
    左右 2.26 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    30 left arrow 40
  • 读取速度，GB/s
    10.6 left arrow 9.3
  • 写入速度，GB/s
    6.8 left arrow 6.4
  • 内存带宽，mbps
    8500 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • 时序/时钟速度
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1479 left arrow 2117

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM的比较

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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
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内存RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
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Kingston 9965589-024.D01G 16GB
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
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内存RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
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内存RAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
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内存RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
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内存RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
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Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
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内存RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
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内存RAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Kingston 9965640-004.C00G 16GB
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内存RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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