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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
46
左右 -64% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.4
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
28
读取速度,GB/s
2,909.8
15.8
写入速度,GB/s
1,519.2
9.4
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2510
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
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Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
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