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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
比较
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB vs Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
总分
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
差异
规格
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
41
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.4
9.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
31
读取速度,GB/s
13.9
15.6
写入速度,GB/s
9.7
10.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2366
3005
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
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