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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
比较
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB vs V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
总分
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
总分
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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需要考虑的原因
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
84
左右 -110% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
3.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
84
40
读取速度,GB/s
5.0
17.5
写入速度,GB/s
3.6
9.7
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
878
2462
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Corsair CMT32GX5M2B5200C40 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
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