RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Porównaj
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
40
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.6
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.8
6.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
30
40
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
6.8
6.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1479
2117
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link