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SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
比较
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
总分
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
差异
规格
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差异
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SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
46
左右 -84% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
12.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
25
读取速度,GB/s
12.1
18.2
写入速度,GB/s
8.0
13.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2088
3061
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
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Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
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SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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