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SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600S3V64L11/8G 8GB
比较
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GR1600S3V64L11/8G 8GB
总分
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GR1600S3V64L11/8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
44
左右 2% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
8.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GR1600S3V64L11/8G 8GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1600S3V64L11/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
43
44
读取速度,GB/s
13.2
12.0
写入速度,GB/s
8.4
8.1
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
2185
2049
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB RAM的比较
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Wilk Elektronik S.A. GR1600S3V64L11/8G 8GB RAM的比较
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
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Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVRB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
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