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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
比较
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
总分
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
总分
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
41
左右 -37% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.6
9.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
30
读取速度,GB/s
13.7
16.9
写入速度,GB/s
9.3
13.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2290
3050
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
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