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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
比较
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
总分
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,404.5
11.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
104
左右 -300% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
104
26
读取速度,GB/s
3,192.0
14.3
写入速度,GB/s
2,404.5
11.2
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
786
2912
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB RAM的比较
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
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