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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
比较
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
总分
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
总分
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
13.7
9.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.3
6.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
38
41
左右 -8% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
38
读取速度,GB/s
13.7
9.3
写入速度,GB/s
9.3
6.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2290
2107
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
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