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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
比较
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB vs Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
总分
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
总分
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
27
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
14.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.4
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
26
读取速度,GB/s
14.8
15.0
写入速度,GB/s
9.0
13.4
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2650
3112
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
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