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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
11.8
17.3
写入速度,GB/s
7.3
14.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
3544
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Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
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