RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Porównaj
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
30
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
30
Prędkość odczytu, GB/s
11.8
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2057
3544
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link