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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Compara
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
30
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
7.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
30
Velocidad de lectura, GB/s
11.8
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.3
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2057
3544
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingston 9905403-096.A01LF 2GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
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