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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
比较
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
总分
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
13.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.0
6.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
27
左右 -13% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
24
读取速度,GB/s
14.8
13.9
写入速度,GB/s
9.0
6.5
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2650
2113
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
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