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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
比较
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
总分
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
18
43
左右 -139% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.9
10.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.6
6.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
18
读取速度,GB/s
10.7
20.9
写入速度,GB/s
6.8
16.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1314
3601
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
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Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
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