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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
19.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
77
左右 -305% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.5
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
19
读取速度,GB/s
2,936.9
19.4
写入速度,GB/s
1,884.0
14.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3290
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
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