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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
比较
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB vs Kingston 9905624-016.A00G 8GB
总分
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
总分
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
24
左右 25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.7
15.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.1
11.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
18
24
读取速度,GB/s
17.7
15.4
写入速度,GB/s
13.1
11.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2926
2666
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BY-3C 1GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332S 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT151R7TFR4C
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