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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
比较
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
总分
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
总分
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
29
左右 3% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
29
读取速度,GB/s
12.6
17.2
写入速度,GB/s
8.2
13.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1822
3416
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB RAM的比较
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kllisre 0000 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-YH0 8GB
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