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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
比较
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
总分
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
总分
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
28
左右 -12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21
12.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
19.4
8.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
25
读取速度,GB/s
12.6
21.0
写入速度,GB/s
8.2
19.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1822
4129
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
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Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
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