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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
比较
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
总分
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
总分
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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需要考虑的原因
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
41
左右 -71% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.8
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
24
读取速度,GB/s
10.1
16.9
写入速度,GB/s
7.1
12.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1484
3052
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
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