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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
比较
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
总分
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
总分
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
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需要考虑的原因
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
41
左右 -14% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.8
7.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
41
36
读取速度,GB/s
10.1
15.4
写入速度,GB/s
7.1
10.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1484
2720
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB RAM的比较
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Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
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