RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
41
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.8
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
36
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
2720
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link