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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
比较
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
总分
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
总分
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
42
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.1
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
28
读取速度,GB/s
11.7
18.1
写入速度,GB/s
8.0
16.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2535
3606
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
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